Η Samsung επενδύει σταθερά στην παρασκευή τσιπ. Μετά την πρόσφατη έγκριση της αίτησής της για επέκταση της μονάδας παραγωγής soc στο Τέξας και πρόσφατες επενδύσεις για έρευνα και ανάπτυξη στη νότια Κορέα ανακοίνωσε ότι ολοκλήρωσε το σχεδιασμό του πρώτου της FinFET τσιπ με μέθοδο ολοκλήρωσης στα 14nm.
Ο νέος τρισδιάστατος σχεδιασμός ο οποίος συγκρίνεται με το Tri-Gate των επεξεργαστών της Intel σε συνδυασμό με τη μέθοδο ολοκλήρωσης στα 14nm υπόσχονται σημαντικά ωφέλη στην κατανάλωση που θα φτάνουν μέχρι και το 60% αλλά και στις επιδόσεις.
Η Samsung συνεργάζεται με την ARM και τη Synopsis πράγμα που σημαίνει ότι θα δούμε τα νέα τσιπ σε προϊόντα αρκετά σύντομα, αν μάλιστα πάρουμε υπόψη και το γεγονός ότι και η Globalfoundries ανακοίνωσε σχετικά πρόσφατα ότι με τη βοήθεια συνεργατών ετοιμάζεται για την παραγωγή της καινούριας τεχνολογίας.
.jpg)
